少子寿命相关论文
本征氢化非晶氧化硅(i-a-SiOx:H)是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池中重要的钝化材料之一。本文采用PECVD法研究不同沉积衬底温度下n-Cz......
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管，讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响。研究表明，吸收层厚度影响热产生......
采用（100）晶向N型抛光单晶硅衬底，研究氢氧化钠与IPA混合溶液体系对单晶硅片各向异性腐蚀过程，通过优化氢氧化钠质量浓度、IPA体积含量......
多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称......
本文主要综述了四种测量少数载流子寿命的方法,详细介绍了测量原理和实验装置、适用范围,针对太阳电池的特点,分析比较了这些方法......
SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, ......
介绍使用两个红外半导体激光器，一束为可调谐Pb1-xSnxTe激光.另一束为GaAs/GaAlAs激光，经光学系统均会聚成φ250 μm的小光点，且将二......
重金属杂质污染会对太阳能硅片性能及寿命产生显著的影响.因此,开展了太阳能硅片加工中的重金属杂质沾污产生过程研究.通过硅片切......
本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载......
对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析......
强电负性的氟基等离子体是有望替代多晶硅电池片表面湿法制绒的干法制绒技术，然而氟基等离子体特性以及多晶硅的干法制绒机制机......
本文详细介绍了WT-2000进行各项目测量的工作原理,即分别对以下方法和原电压(SPV)法,用于体电阻率测量的涡流(Eddy)法以及利用表面......
本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明：采......
本文以空间GaAs/Ge单结太阳电池和GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,首先基于超快光谱采用开路电压法分析电池的放电行为,得到......
硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)作为一种高性能的X射线探测器在航天、核工业、医疗、安检等各个领域有着广泛而重要的......
多晶硅锭主要通过定向凝固法生长,由于这种方法成本低且产量高,使其成为太阳能电池材料最重要的衬底之一。传统的多晶硅锭是在石英......
近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的......
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通......
少数载流子寿命（简称少子寿命）是半导体材料的一项重要参数，它对半导体器件性能、太阳电池效率都有重要的影响。日益发展的光伏新能源......
相比于传统的供能方式,利用合适波长和强度的激光对光伏电池供电能取得较高的转化效率,但要避免因激光功率密度过高而造成的损伤。......
PECVD沉积的SiN_x:H薄膜具有优良的减反射作用和对材料的钝化作用等优点,这使其在太阳电池的大规模生产中得到了非常广泛的应用。......
近年来，随着光伏产业的快速发展，人们在不断探索光电转换效率更高、使用寿命更长的太阳能电池。少数载流子寿命（简称少子寿命）是半导体......
1994年,日本三洋公司研发了一种用氢化非晶硅层作为发射层,n型织构单晶作为衬底的高效异质结太阳电池。这种太阳电池同时具备了非......
铸造多晶硅因其具有较高的性能和较低的成本而超越单晶硅成为目前太阳电池最重要的原材料。与直拉单晶硅相比,铸造多晶硅中含有更......
硅薄膜太阳能电池作为一种新型太阳能电池,因其低耗材、低成本、制备工艺简单和便于大规模生产等优点,使其具有广阔的市场应用前景......
随着对各种辐照射线及其辐射效应不断深入的研究，辐照技术已被应用于半导体材料、器件改性等多种领域。电子辐照技术作为现今主要寿......
碳化硅(Si C)是发展高功率、高温和高频器件极具吸引力的宽禁带半导体材料,近年来引起了越来越多的关注。Si C基绝缘栅双极晶体管(......
针对冶金硅纯度较低的问题,采用短时间浓磷扩散吸杂工艺来提高原始冶金硅片的少子寿命。研究不同时间、温度、磷源流量吸杂对冶金......
强电负性的氟基等离子体是有望替代多晶硅电池片表面湿法制绒的干法制绒技术，然而氟基等离子体电学特性以及多晶硅干法制绒的内在机......
以多晶硅锭少子寿命测量系统的稳定性和可靠性为研究对象,通过Gage R&R技术和单因子方差分析方法,对太阳能多晶硅锭的少子寿命测量......
针对在单晶硅片表面制备陷光织构可提高吸光率,但同时将导致光生伏特效应被削弱的问题,定义了电池的光学特性系数和电学特性系数,......
【摘 要】太阳能资源丰富、清洁、可再生等优势，使光伏行业得以迅速发展，光伏领域最常用的P型直拉硅单晶杂质含量高，尤其是氧杂质高达......
【摘 要】本文从原始单晶生长、中子辐照、热处理等过程分析了影响NTD（中子辐照嬗变掺杂）区熔硅单晶品质的因素，并结合实际情况得出了......
基于电阻率为1.8Ω·cm的P型多晶硅片,实验研究了管式PECVD和平板式PECVD沉积的氮化硅膜对多晶硅太阳电池的影响.利用椭偏仪、积分......
利用平板式等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,在反应温度为300℃,NH3:SiH4比例为3:1和沉积压强为0.2-0.4mbar的条件下,在多晶硅片......
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行......
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍......
采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速......
针对光伏型中波HgCdTe双色红外探测器作了优化模拟计算,器件采用典型n-p-p-p-n结构和同时工作模式,建立的二维模型考虑了辐射复合......
对减薄至2001μm的多晶硅电池片进行双面扩散、背靠背扩散对比研究.实验表明:双面扩散和背靠背扩散均具有良好的吸杂效果,少子寿命......
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少,少子寿命长,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然......
研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响,采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗......
多晶硅片受到自身缺陷的限制,转换效率明显低于单晶硅片。为了提高多晶硅片转换效率,通过改造多晶铸锭炉热场结构,调整相关工艺参......
使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管．采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管......
